
硒化锡(SnSe)是一种低对称性层状半导体,具有本征低晶格热导率(κlat),在约793 K时会发生从Pnma空间群到更高对称性Cmcm空间群的相变。未掺杂的SnSe晶体属于p型热电材料,在300至923 K温区内平均热电优值ZT(ZTave)约0.9。通过优化后,低温Pnma相SnSe晶体因其热致晶格对称性增强可实现载流子迁移率μH与态密度有效质量md*的协同优化,从而展现出优异的热电性能。
在此研究中,作者通过铅合金化诱导的晶格对称性增强,强化了岩盐状n型Cmcm相SnSe晶体中的二维声子输运与三维电荷输运。研究证明,晶格对称性提升直接降低了形变势,从而在载流子浓度显著增加的同时促进了高温Cmcm相中的载流子迁移率提升。同时,高晶格对称性诱导了Cmcm相的能带调控,提高了态密度有效质量。这些特性促进了三维电荷输运,使n型Cmcm相SnSe晶体获得了创纪录的高功率因子。
此外,铅合金化引起的键软化通过平均声速与Grüneisen参数的协同优化降低了晶格热导率,从而增强了二维声子散射。最终,在n型SnSe晶体中实现了673至923 K温区内约3.0的卓越平均无量纲热电优值,在约572 K温差下获得了约19.1%的峰值转换效率。这些结果证明了Cmcm相SnSe晶体在实现优异热电性能方面的潜力。




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