《JMST》在线发表太原理工大学宋金鹏/苏州实验室周延春联合上海晨华科技股份有限公司:超声辅助热压烧结B4C致密化机理和晶粒生长动力学
原文题目:Ultrasonic-assisted hot pressing (UAHP): Densification mechanisms and grain growth kinetics of B4C
期刊:Journal of Materials Science & Technology
发表时间:July 21, 2026
文章链接:https://authors.elsevier.com/a/1nTmH3aX7Ld0kn
Cite this article:
Zhuo Wang, Jinpeng Song, Ming Lv, Jiaojiao Gao, Bo Xu, Kuang Sun, Xiong Niu, Wei Xu, Guoxing Liang, Yanchun Zhou.
Ultrasonic-assisted hot pressing (UAHP): Densification mechanisms and grain growth kinetics of B4C.
J. Mater. Sci. Technol. DOI:10.1016/j.jmst.2026.06.066
文章DOI: 10.1016/j.jmst.2026.06.066
近日,来自太原理工大学机械工程学院宋金鹏教授团队/苏州实验室周延春教授团队联合上海晨华科技股份有限公司,在Journal of Materials Science & Technology 上在线发表题为“Ultrasonic-assisted hot pressing (UAHP): Densification mechanisms and grain growth kinetics of B4C”的研究文章。文章阐述了超声辅助热压(UAHP)烧结B4C的致密化机理、晶粒生长激活和位错演变规律。
功率超声波是一种兼具高频振动与高能量密度的先进制造技术,可以产生声流、空化、声致软化、局部摩擦升温以及周期性交变应力等多重效应。凭借其独特的优势,功率超声波已广泛应用于材料焊接、塑性加工、增材制造和粉末冶金的等领域。近年来,UAHP在降低烧结温度、提高材料致密度和优化力学性能等方面展现出巨大的应用潜力,为难烧结陶瓷致密化提供新思路。然而,UAHP的致密化机制和晶粒生长动力学缺乏系统、定量的研究。
针对这一问题,文章系统地研究了UAHP烧结B4C陶瓷的致密化行为、晶粒长大动力学、位错演化规律和力学性能,并与传统热压(HP)进行了系统对比,揭示UAHP烧结B4C致密化和晶粒生长的内在机制。研究结果表明,UAHP将B4C塑性变形的阈值温度降低100°C,使致密化激活能降低约17%,在晶粒生长过程中由表面扩散主导,有效抑制高温晶粒粗化。此外,超声振动在中温阶段促进错形核和增殖,在高温阶段加速动态回复,实现了位错结构的动态调控。该研究深化了对UAHP烧结机理的认识,为高性能陶瓷材料的低温、高效制备提供了理论依据和技术指导。
图1图片摘要:文章阐明了超声辅助热压(UAHP)烧结B4C的致密化行为、晶粒生长动力学和位错 演变规律。
2.1 UAHP烧结炉和超声系统示意图
该研究使用的UAHP烧结炉由上海晨华科技股份有限公司自主研发。超声系统的工作原理如下:超声波发生器将50 Hz的交流电转变为20 kHz的电信号,随后超声波换能器将电信号转变为20 kHz的机械振动,并通过变幅杆和下压头将超声振动传递给粉料,最终在温度场、压力场和超声场的协同作用下实现材料快速致密。
图2 (a) 该研究使用的UAHP设备,(b) 超声系统的示意图。
2.2 UAHP和HP制备B4C的烧结路径
在相同的致密度下,UAHP获得更细小的晶粒;在相同的烧结条件下,UAHP能够实现更高的致密度。尤其在较低的烧结温度下,UAHP显著加快B4C由多孔状态想致密状态的转变,同时有效抑制晶粒长大。随着烧结温度进一步提高,UAHP制备样品的晶粒尺寸对烧结温度的依赖性较弱,表明超声振动在实现致密的同时可以抑制晶粒粗化。相较于传统HP,UAHP可以在更低的温度下实现完全致密,并获得更加细小的微观形貌。
图3 采用(a) UAHP和(b) HP制备B4C的烧结路径。
2.3 致密化机理和TEM图像验证
基于稳态蠕变模型,该研究利用有效应力指数分析不同条件下的致密化机理。在1650°C时,UAHP和HP的致密化机理均为粘性流动。在1750°C时,UAHP的致密化机理由晶界扩散转变为位错主导的塑性变形,而HP则由晶界扩散转变为位错主导的晶界滑移。随着温度升高,UAHP和HP均以塑性变形主导致密化机理。研究结果表明UAHP可以将B4C塑性变形的阈值温度从1850°C降低至1750°C,降低了100°C。TEM结果证实了1750°C下UAHP样品中存在大量位错、孪晶和层错,验证了其塑性变形机制。进一步分析表明,UAHP将B4C的致密化激活能从313 ± 32 kJ/mol降低到259 ± 25 kJ/mol,说明超声振动可以有效增强物质传输,降低烧结过程中的能量障碍,从而促进材料致密化。
图4 采用(a) UAHP和(b) HP在1650–1950 °C制备B4C的有效应力指数。采用UAHP在1750 °C保温180 min制备B4C的TEM图像:(c) B4C晶粒TEM明场像,其中包含层错(SFs)、孪晶和位错;(d) 图4(c)中Ⅰ区域的HRTEM图像及沿[111]经带轴的选区电子衍射谱(SAED),孪晶界(TBs)平行于(011)晶面,(e) 图4(c)中Ⅱ区域的HRTEM图像及沿[100]经带轴的SAED花样,(f) 图4(e)中Ⅲ区域的位错滑移和攀移方向。(g) UAHP和(h) HP的相对密度vs.致密化速率。(i) 当n=1时,采用UAHP和HP制备B4C的致密化激活能。
2.4 晶粒生长动力学
在1850–1950°C下,UAHP制备B4C的晶粒生长机理为表面扩散为主。表面扩散可以增强物质传输,但不促进晶界迁移,因此超声振动可以抑制晶粒过度粗化。而HP制备B4C的晶粒生长机理从表面扩散转变为晶界扩散,这种转变促进晶界迁移,导致高温下晶粒粗化。在表面扩散控制晶粒生长的条件下,随着保温时间延长,UAHP的晶粒生长激活能从521 ± 83 kJ/mol降低到208 ± 42 kJ/mol,而HP的晶粒生长激活能为(586–663) kJ/mol。
图5 采用UAHP在(a) 1850°C, (b) 1900°C, (c) 1950°C, 和HP在(d) 1850°C, (e) 1900°C, (f) 1950 °C制备B4C的晶粒生长动力学。采用(g) UAHP和(h) HP制备B4C的晶粒生长激活能。
2.5 位错密度演变规律
基于XRD结果,使用修正的Williamson-Hall方法计算UAHP和HP制备B4C的位错密度。随着烧结温度升高,UAHP和HP制备B4C的位错密度均呈现先增加后降低的趋势,在1750°C达到峰值。不同之处在于,UAHP工艺的位错密度下降更为显著,而HP工艺的位错密度逐渐下降并趋于稳定。在中等温度下,超声振动产生的高频周期应力和声致软化效应导致晶格发生紊乱,促进位错的形核和增殖。在高温下,超声振动增强位错的迁移率,从而促进位错的重排和湮灭,导致位错减少。因此,超声振动在烧结过程中对位错发挥双重调控作用:中温阶段促进位错产生,高温阶段促进动态回复。
图6 (a)采用UAHP和HP在1650–1950 °C保温30 min制备B4C的XRD图谱。采用修正的Williamson-Hall方法计算 (b) UAHP和(c) HP制备B4C的位错密度。(d) 位错密度的演变。
2.6 力学性能对比
在相同的烧结条件下,与传统HP相比,UAHP制备的B4C具有更高的抗弯强度和维氏硬度。随着烧结温度提高和保温时间延长,材料致密度不断增、孔隙率持续降低,因此材料的抗弯强度和硬度得到明显提升。当烧结温度过高或保温时间过长时,材料的力学性能下降。因此,合理控制烧结温度和保温时间是充分发挥UAHP优势、获得高性能B4C陶瓷的关键因素。
图7采 用UAHP和HP在1650–1950 °C保温30–180 min制备B4C的(a) 抗弯强度和 (b)维氏硬度。
文章部分 | 主要内容 |
实验过程 | 阐述B4C的粉料处理和烧结过程,阐明UAHP的工作原理。 |
实验结果 | 对比分析不同烧结温度和保温时间下,UAHP和HP的致密化曲线、相对密度、晶粒尺寸演变和断口形貌,分析UAHP和HP制备B4C的烧结路径。 |
讨论 | 讨论UAHP和HP制备B4C的致密化机理和激活能、晶粒生长机理和激活能、位错演变规律和机械性能。 |
王卓(第一作者),太原理工大学机械工程学院博士研究生。主要研究方向为超声辅助热压技术和高性能陶瓷材料的制备。目前以第一作者在Journal of Advanced Ceramics、Journal of Materials Science & Technology、Ceramics International等期刊发表多篇学术论文。
宋金鹏(通讯作者),太原理工大学教授/博士生导师,主要从事超声技术、高效加工及数控刀具技术、智能制造技术及先进制造理论与技术。主持国家自然科学基金年和面上项目、山西省高等学校科技创新项目、山西省科技厅成果转化专项等科研项目6项。以第一或通讯作者发表学术论文60多篇,授权发明专利20余件。
周延春,1985年毕业于清华大学,1988和1991年在中科院金属所获得硕士和博士学位。主要从事高温陶瓷及复合材料的多层次结构设计、制备和性能研究。发现了20多个新化合物并确定了它们的晶体结构。发表SCI论文500多篇,被引用32600多次,H因子97,列斯坦福大学2021年材料领域世界前2%学者第146位,入选爱思唯尔1999-2025年中国高被引学者。获中科院院长奖学金特别奖、国家科技进步二等奖、辽宁省自然科学一等奖、美国陶瓷学会GlobalStar奖、美国陶瓷学会Bridge Building奖,国际衍射数据中心(ICDD)特别贡献奖等奖励。1999年获国家杰出青年基金,2010年当选美国陶瓷学会会士(Fellow)和世界陶瓷科学院院士,2013年当选亚太材料科学院院士。主要学术兼职有美国陶瓷学会工程陶瓷部国际委员会主席(2009-2010),世界陶瓷科学院顾问委员会委员(2010-2014),世界陶瓷科学院选举委员会委员(2010-2014),美国陶瓷学会Ross Coffin Purdy奖励委员会主席(2015),美国陶瓷学会Jeppson奖励委员会委员(2018),美国陶瓷学会出版委员会主席(2018),美国陶瓷学会工程陶瓷部提名委员会主席(2015-2016),中国硅酸盐学会特陶分会副理事长(2008-)。Extreme Materials创刊主编,J.Adv.Ceram.和现代技术陶瓷主编;J.Mater.Sci.Tech.,J.Am.Ceram.Soc.及J.Mater.Res.等国际期刊的Editor。