图1a 是合成路线图,说明作者通过在 Ce-MOF 合成过程中加入不同单羧酸,把“缺陷”直接引入骨架,而不是后处理破坏骨架。这里的核心信息是:单羧酸调控不仅改变了材料组成,更重要的是为后续“缺失配体、更多不饱和位点、更多介孔”埋下了基础。图1b 是性能初筛图,显示随着单羧酸加入量从 20 增加到 40,当量增加会显著提高吸附容量,但到 50 后提升不明显,说明缺陷不是越多越好,而是存在最佳窗口;其中 BA 调控的 Ce-MOF(40BA) 表现最好。图 1c 和 1d 分别用 XRD 和 FT-IR 说明:虽然引入了缺陷,但主体 Ce-MOF 晶体骨架仍然存在,没有完全塌陷。图1e-i 的 SEM 则进一步说明单羧酸会改变颗粒尺寸和表面形貌,随着酸链增长,表面缺陷更明显、晶体尺寸逐步减小。
图1. (a) Ce-MOFs及缺陷型Ce-MOFs的合成过程示意图;(b) Ce-MOFs的磷酸盐吸附能力(初始磷酸盐浓度:25 mg P/L;吸附剂用量:0.3 g/L;pH:6.65 ± 0.2;吸附时间:24小时;温度:25 ± 1 °C);(c) Ce-MOFs的 XRD 图谱;(d) Ce-MOFs的FT-IR光谱;(e-i) Ce- MOF 、Ce- MOF(40AA)、Ce- MOF(40PA)、Ce-MOF(40BA)及Ce- MOF(40OA)的SEM图像(按顺序)。
图2a 是吸附等温线,表明所有材料对磷酸盐的吸附量都随平衡浓度增加而上升,并且 Langmuir 拟合优于 Freundlich,说明作者认为该过程以单层吸附为主。最关键的数据是 Ce-MOF(40BA) 的最大吸附容量达到 117.28 mg P/g,明显高于原始 Ce-MOF 的 70.00 mg P/g,也高于其他缺陷样品。图 2b 中 RL 全部位于 0 到 1 之间,说明吸附过程是有利的。图 2c 和 2d 是动力学图,在 3 mg P/L 和 25 mg P/L 两种条件下,准二级模型拟合更好,说明化学吸附占主导。尤其在低浓度 3 mg P/L 下,Ce-MOF(40BA) 10 min 就达到 96.60% 去除率,这说明它不仅容量高,而且传质和反应都很快。
图2. (a) Ce-MOFs的吸附等温线模型,(b) Ce-MOFs的分离系数(初始磷酸盐浓度:5−200 mg P/L;吸附剂用量:0.3 g/L;pH:6.65 ± 0.2;吸附时间:24 h;温度:25 ± 1 °C),(c-d) Ce-MOFs在3 mg P/L和25 mg P/L磷酸盐浓度下的动力学行为(吸附剂用量:0.05 g/L;pH:6.65 ± 0.2;温度:25 ± 1 °C)。
图3. (a) 初始pH对Ce-MOFs的影响(初始磷酸盐浓度:25 mg P/L;吸附剂用量:0.3 g/L;吸附时间:24 h;温度:25 ± 1 °C),(b) Ce-MOFs吸附磷酸盐前后pH的变化,(c) 初始pH对CeMOFsζ电位的影响,(d) 共存阴离子与有机物的影响(虚线表示无干扰的磷酸盐吸附)。
图4a 的 SEM-EDS mapping 显示吸附后 P、Ce、O 在材料表面和颗粒中分布高度重合,说明磷确实被均匀吸附到 Ce-MOF(40BA) 上,而不是局部附着。图4b 的 FT-IR 在吸附后出现新的 P–O、O=P–O 和 O–P–O 特征峰,说明磷酸根与材料表面发生了化学作用。图 4c 的 XRD 出现 CePO4新峰,这是非常强的证据,表明磷酸根与 Ce 位点之间发生了内层络合甚至表面沉淀。图4d 和 4e 是 N2吸脱附和孔径分布图,表明引入 BA 后材料由单纯微孔逐渐转变为微孔-介孔共存,Ce-MOF(40BA) 的介孔比例高达 58.81%,而原始 Ce-MOF 只有 6.86%。图 4f 和 4g 的 TGA 进一步说明缺陷来自配体缺失,作者甚至算出了 Ce-MOF(40BA) 的平均配位数只有 4.33,明显低于完整框架。

图4.(a)磷酸盐吸附后Ce- MOF(40BA)的SEM-EDS元素分布图,(b)磷酸盐吸附前后的Ce- MOF(40BA)FT-IR光谱及 XRD 图谱,(c)Ce- MOF 与Ce- MOF(αBA)的N2吸附-解吸等温线(实心符号:吸附;空心符号:解吸),(d)Ce- MOF 与Ce- MOF(αBA)的孔径分布,(f-g)Ce- MOF 与Ce- MOF(40BA)的TG曲线。
图5.(a、b)Ce- MOF 和Ce- MOF(40BA)的 XPS 扫描光谱及Ce 3d高分辨 XPS 光谱;(c、d)磷酸盐吸附后Ce- MOF 和Ce- MOF(40BA)的 XPS 扫描光谱及P 2p高分辨 XPS 光谱;(e、f)磷酸盐吸附前后Ce- MOF 和Ce- MOF(40BA)的O 1s高分辨 XPS 光谱。
图6a-d 构建了完整 Ce-MOF 和缺配体 Ce-MOF 与磷酸根的不同结合模型。作者比较了不同模型下的吸附能,发现所有缺陷模型的吸附能绝对值都大于完整模型,说明缺陷位点与磷酸根结合更稳定、更有利。并且随着缺失 linker 数增加,吸附能绝对值进一步增大,说明更多不饱和位点和更低空间位阻会进一步增强吸附。图 6e-h 的 PDOS 图显示,缺陷模型中 O-p 与 Ce-f 轨道重叠更强,电子转移更明显。
图6. (a-d) 纯Ce- MOF 与三种缺陷Ce-MOFs(紫色:磷原子;红色:氧原子;黑色:碳原子;白色:氢原子)对磷酸盐的结合模型,(e-h) 磷酸盐吸附后纯Ce- MOF 及三种缺陷Ce-MOFs表面Ce和O(磷酸二氢盐−)的 PDOS 图(对应结合模型中的序列)。
图7.(a)循环稳定性测试结果,以及(b)固定床柱实验的穿透曲线。(初始磷酸盐浓度:2 mg P/L;吸附剂用量:2.0 g;床体积:2.3 mL;pH:6.65 ± 0.2;温度:25 ± 1 °C)。