近日，中北高新区企业天成半导体继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。
天成半导体成立于2021年8月，是中北高新技术产业开发区培育的高新、“专精特新”技术企业典范。天成半导体2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35毫米。12英寸碳化硅技术将进一步提升其在新能源汽车等终端市场的竞争力，以满足下游市场对碳化硅“降本增效”的迫切需求。同时，AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求也日益凸显。
14英寸碳化硅单晶材料则主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。碳化硅材料的部件具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性，能够适应晶圆外延、刻蚀等制造环节的强腐蚀性、超高温的恶劣反应环境，被广泛应用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等主要半导体制造环节的设备中。
目前，碳化硅部件市场几乎由国外供应商垄断。天成半导体再次刷新“进度条”，实现新的突破，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键性突破。
